Physiker haben kürzlich die extremen Widerstandsänderungen in Metall-Sauerstoff-Verbindungen entschlüsselt: Restrictive-RAM, eine neuartige Form nichtflüchtigen Datenspeichers mit höherer Speicherdichte bei geringeren Produktionskosten als Flash, könnte in einigen Jahren marktreif sein: mehr...
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