Forum Übersicht - RE: Hochlicht - 3

ZITAt (Dennis @ 14.05.2006 - 21:52) Das einzige, was hier irreführt, bist Du.[/quote]
Genau - und deswegen ein paar Links :

Nikon-Sensor

FujiFilm Sensor

Foveon Sensor

Sony Sensor

Vier unterschiedliche Technologien mit unterschiedlichen Sensor Eigenschaften und das sind bei weitem nicht alle. Alle haben eines gemeinsam - das Sammeln von Photonen des Lichtspektrums für den Einsatz in Fotokameras und die damit verbundene Problemstellung.

Zum Nachlesen den Artikel hier. Die Übungsaufgaben am Ende des PDF können als Anregung zu weiteren Recherchen herangezogen werden.

Weiterhin möchte ich noch auf die Grafik unter "Spectral Response of Silicon" hinweisen.

Gruß,

Rudi.

/rolleyes.gif" style="vertical-align:middle" emoid="" border="0" alt="rolleyes.gif" /> Du magst mal wieder nicht verstehen, und suchst - mal wieder - verzweifelt den Ausgang.

Les' Dir doch wenigstens mal die White Papers von Kodak durch, und beginne zu verstehen, dass das hier nicht eine Debatte um Schaltungsarten ist (CMOS-CCD-X3-LBCAST). Es geht darum, dass bei allen Chips die kurzwelligen Lichtstrahlen generell aus physikalischen Gründen nicht weit in das Si vordringen können, und daher grundsätzlich problematisch zu erfassen sind. Daher setzt ja Kodak gates aus Indium-Zinn-Oxid ein. Ob das jetzt in einem CCD passiert, dessen Zellen herkömmlich oder um 45° gedreht angeordnet sind, ob da ein RGBG-, RGBE- oder CYMY-CFA drüberliegt oder ob das in einem CMOS (LBCAST) Chip angewendet wird, ist doch völlig nebensächlich. Es geht hier um grundsätzliche physikalische Prinzipien. Oder basieren die von Dir genannten Bildwandler etwa nicht auf Silicium?

ZITAt (RudiWin @ 15.05.2006 - 1:07) Alle haben eines gemeinsam - das Sammeln von Photonen des Lichtspektrums für den Einsatz in Fotokameras und die damit verbundene Problemstellung.[/quote]Sie haben mehr gemeinsam: Sie nutzen alle das selbe technische Prinzip - eine Photo-Diode auf einem Si-Chip. Daher haben sie ja auch alle das gleiche Problem. /wink.gif" style="vertical-align:middle" emoid="" border="0" alt="wink.gif" />

ZITATZum Nachlesen den Artikel hier.[/quote]Ach, komm - diese nett bebilderte Folienshow reisst die Dinge doch gerade mal kurz an, die in den White Papers von Kodak ausführlich erklärt werden. Schau sie Dir einfach mal an, die haben da eine ganze Menge online.

ZITATWeiterhin möchte ich noch auf die Grafik unter "Spectral Response of Silicon" hinweisen.[/quote]Ja, und? Was willst Du damit zeigen? Soll das etwa zeigen, dass die Eindringtiefe doch nicht von der Wellenlänge abhängig ist?

ZITAt (Dennis @ 15.05.2006 - 1:36) /rolleyes.gif" style="vertical-align:middle" emoid="" border="0" alt="rolleyes.gif" /> Du magst mal wieder nicht verstehen, und suchst - mal wieder - verzweifelt den Ausgang.

Les' Dir doch wenigstens mal die White Papers von Kodak durch, und beginne zu verstehen, dass das hier nicht eine Debatte um Schaltungsarten ist (CMOS-CCD-X3-LBCAST). Es geht darum, dass bei allen Chips die kurzwelligen Lichtstrahlen generell aus physikalischen Gründen nicht weit in das Si vordringen können, und daher grundsätzlich problematisch zu erfassen sind. ...[/quote]
Bei der "transparent Gate"-Technologie von Kodak geht es doch um "kontrollierte Erweiterung der Spectralempfindlichkeit bei Full Frame CCD Sensoren". Sensoren mit anderer Technologie verhalten sich da wieder anders. Aber die "transparent Gate"-Technologie soll ja gerade die unkontrollierten Einflüsse höherfrequenter Wellenbereiche des Lichtes kontrollierbar machen, den Erfassungsbereich innerhalb des Spektrums gegenüber den bereits in der Bandbreite beschnittenen Standardsensoren kontrolliert erweitern.
ZITAt (Dennis @ 15.05.2006 - 1:36) Sie haben mehr gemeinsam: Sie nutzen alle das selbe technische Prinzip - eine Photo-Diode auf einem Si-Chip. Daher haben sie ja auch alle das gleiche Problem. /wink.gif" style="vertical-align:middle" emoid="" border="0" alt="wink.gif" />[/quote]
Je nach Technologie die Einen mehr, die Anderen weniger und die "Photodiode" IST der Si-Chip.
ZITAt (Dennis @ 15.05.2006 - 1:36) Ach, komm - diese nett bebilderte Folienshow reisst die Dinge doch gerade mal kurz an, die in den White Papers von Kodak ausführlich erklärt werden. Schau sie Dir einfach mal an, die haben da eine ganze Menge online.[/quote]
Dann schau Dir mal hier die Spektralkurve von Silizium an.
ZITAt (Dennis @ 15.05.2006 - 1:36) Ja, und? Was willst Du damit zeigen? Soll das etwa zeigen, dass die Eindringtiefe doch nicht von der Wellenlänge abhängig ist?[/quote]
Habe ich das bisher bestritten? Dass bei einer Substratdicke von - sagen wir mal 5mm hinten nicht mehr viel UV-Licht rauskommt ist ziemlich einleuchtend. Bei einem Sensor muss das Licht aber den Sensor nicht durchdringen, sondern lediglich die obere lichtempfindliche, dotierte Schicht laden. Dein Argument gilt beim Foveon X3-Sensor mit 3 solchen Schichten. Daher ist die obere Schicht bei diesem Sensor für den Blauanteil des Lichtspektrums zuständig. Die Verhältnisse bei Sensoren mit z.B. Bayer-Array sind jedoch andere, da gibt es nur die obere Substratschicht.

Warum schimmern Siliziumphotozellen zur Stromgewinnung blau? EEPROMs - löschbare elektronische Speicherbausteine aus Silizium z.B. werden mit UV-Licht gelöscht. Warum wohl? Wenn UV-Licht eine so geringe Durchdringung des Substrats hat könnte man doch den Inhalt der EEPROMs mit UV-Licht gar nicht löschen.

Gruß,

Rudi.

Hä? /blink.gif" style="vertical-align:middle" emoid="" border="0" alt="blink.gif" /> worüber diskutiert ihr hier eigentlich? Seit 10 Beiträgen werft ihr euch nur gegenseitig vor die Datenblätter nicht lesen zu können ohne dabei auf ein konkretes Thema bezug zu nehmen. Ich verstehs nimmer...

ZITAt (RudiWin @ 15.05.2006 - 3:49) Bei der "transparent Gate"-Technologie von Kodak geht es doch um "kontrollierte Erweiterung der Spectralempfindlichkeit bei Full Frame CCD Sensoren".[/quote]Das hat nichts mit FF oder Interline etc zu tun.

ZITATSensoren mit anderer Technologie verhalten sich da wieder anders.[/quote]Nicht, was das Thema Eindringtiefe und Rekombination angeht. Das keine Frage der Technologie, sondern des Materials.

ZITATAber die "transparent Gate"-Technologie soll ja gerade die unkontrollierten Einflüsse höherfrequenter Wellenbereiche des Lichtes kontrollierbar machen,[/quote]Nein, ermöglichen. Betonung auf Erweiterung.

ZITATDann schau Dir mal hier die Spektralkurve von Silizium an.[/quote]Hab ich schon. Du sollst endlich mal sagen, was Du damit meinst, nicht immer nur rumunken...

ZITATHabe ich das bisher bestritten?[/quote]Implizit ja. Nämlich mit Deiner verwirrenden und ignoranten Art, Fragen zu ignorieren, und einfach an Postings vorbei zu argumentieren, mit der Du regelm#ßig solche Threads wie diesen hier auslöst. Fällt Dir eigentlich nicht etwas auf?

ZITATDass bei einer Substratdicke von - sagen wir mal 5mm hinten nicht mehr viel UV-Licht rauskommt ist ziemlich einleuchtend.[/quote] /blink.gif" style="vertical-align:middle" emoid="" border="0" alt="blink.gif" /> Sag mal, Du weißt schon, wovon Du sprichst, ja? Nach 5mm kommt überhaupt nichts mehr an. Bei 400nm (was höchstens die aller-oberste Grenze des UV-Bereichs angesehen werden kann) beträgt die Eindringtiefe 0,0002mm und am anderen Ende mehr als das 15-fache.

ZITATBei einem Sensor muss das Licht aber den Sensor nicht durchdringen, sondern lediglich die obere lichtempfindliche, dotierte Schicht laden.[/quote]Eben, die Photonen müssen erst mal in den richtigen Bereich kommen, und die dann erzeugten Photo-Elektronen sollten nicht schnell rekombinieren, sondern möglichst lange "frei" bleiben. In den White Papers kannst Du nachlesen, wo genau da die Probleme liegen (tu's doch endlich mal!

ZITATDein Argument gilt beim Foveon X3-Sensor mit 3 solchen Schichten.[/quote]1. Der Foveon hat keine drei Schichten.
2. Nein, denn sonst würden ja wohl alle anderen CCDs oder CMOS-Chips UV-Empfindlich sein - was sie aber nicht sind. Außerdem schreibt Kodak bestimmt keine White Papers zu Foveon-spezifischen Problemen.

ZITATDaher ist die obere Schicht bei diesem Sensor für den Blauanteil des Lichtspektrums zuständig. Die Verhältnisse bei Sensoren mit z.B. Bayer-Array sind jedoch andere, da gibt es nur die obere Substratschicht.[/quote]So ein Quatsch. Vergleiche einfach mal die Schichtdicken des Foveon-Sensors und eines normalen CCDs. Wenn Dein Irrglaube stimmen würde, dann wären ja alles Sensoren nur blau-empfindlich, da die restlichen Lichtanteile erst tiefer erfasst werden.

Wenn UV-Licht eine so geringe Durchdringung des Substrats hat könnte man doch den Inhalt der EEPROMs mit UV-Licht gar nicht löschen.

Jetzt behauptest Du schon wieder, UV-Licht hätte keine geringe Durchdringung...

ZITAt (japro @ 15.05.2006 - 9:31) Hä? /blink.gif" style="vertical-align:middle" emoid="" border="0" alt="blink.gif" /> worüber diskutiert ihr hier eigentlich? Seit 10 Beiträgen werft ihr euch nur gegenseitig vor die Datenblätter nicht lesen zu können ohne dabei auf ein konkretes Thema bezug zu nehmen. Ich verstehs nimmer...[/quote]Ich auch nicht. Ich habe auch keinen Bock mehr, auf die hahnebüchenen Theorien eines geistigen Eremiten einzugehen, und werde es wohl zukünftig so wie die andern auch machen, nämlich ihn ignorieren. Man möge mich an meinen Vorsatz erinnern.

ZITAt (Dennis @ 15.05.2006 - 10:19) ... Ich habe auch keinen Bock mehr, auf die hahnebüchenen Theorien eines geistigen Eremiten einzugehen, und werde es wohl zukünftig so wie die andern auch machen, nämlich ihn ignorieren. Man möge mich an meinen Vorsatz erinnern.[/quote]
Kann ich gut verstehen. Ich habe auch besseres mit meiner Zeit zu tun.
Aber ich werde Dich bei Gelegenheit an Deinen Vorsatz erinnern... /wink.gif" style="vertical-align:middle" emoid="" border="0" alt="wink.gif" />

ZITAt (fwiesenberg @ 15.05.2006 - 12:00) Kann ich gut verstehen. Ich habe auch besseres mit meiner Zeit zu tun.
Aber ich werde Dich bei Gelegenheit an Deinen Vorsatz erinnern... /wink.gif" style="vertical-align:middle" emoid="" border="0" alt="wink.gif" />[/quote]Ich BITTE Dich darum! /smile.gif" style="vertical-align:middle" emoid="" border="0" alt="smile.gif" />

ZITAt (Dennis @ 15.05.2006 - 10:19) Das hat nichts mit FF oder Interline etc zu tun.

Nicht, was das Thema Eindringtiefe und Rekombination angeht. Das keine Frage der Technologie, sondern des Materials.[/quote]
Aber mit der UV-Durchlässigkeit der vor dem Sensor befindlichen Filterschichten und dem Substrataufbau.
ZITAt (Dennis @ 15.05.2006 - 10:19) Hab ich schon. Du sollst endlich mal sagen, was Du damit meinst, nicht immer nur rumunken...[/quote]
Dann ist Dir sicher aufgefallen, dass die Elektronenausbeute (Elektron/Photon, Energie eV) mit kürzer werdender Wellenlänge zunimmt (Fig. 6). Probleme ergeben sich eher im langwelligeren NIR (Near Infra Red) Bereich. Wenn Du weiter liest stellst Du fest, dass die chaotischen Reaktionen des Siliziums im kurzwelligen Bereich mit ARC (Anti Reflective Coating)-Beschichtungen bis zu einer Wellenlänge von ca. 100nm einigermassen kontrolliert werden können (Fig.7). Darunter (<100nm) erfolgt wieder ein Anstieg der Energiekurve.
ZITAt (Dennis @ 15.05.2006 - 10:19) /blink.gif" style="vertical-align:middle" emoid="" border="0" alt="blink.gif" /> Sag mal, Du weißt schon, wovon Du sprichst, ja? Nach 5mm kommt überhaupt nichts mehr an. Bei 400nm (was höchstens die aller-oberste Grenze des UV-Bereichs angesehen werden kann) beträgt die Eindringtiefe 0,0002mm und am anderen Ende mehr als das 15-fache.[/quote]
Aha...
ZITAt (Dennis @ 15.05.2006 - 10:19) Eben, die Photonen müssen erst mal in den richtigen Bereich kommen, und die dann erzeugten Photo-Elektronen sollten nicht schnell rekombinieren, sondern möglichst lange "frei" bleiben.[/quote]
Der richtige "Bereich" in den die Photonen eindringen hängt von der Schichtdicke der lichtempfindlichen Schicht ab. Dieser Effekt wird ja beim Foveon X3 Sensor ausgenutzt. Sie werden nicht in "Photo-Elektronen" umgewandelt sondern setzen in der Dotierten Schicht Siliziumelektronen frei, die gesammelt und zur weiteren Verarbeitung abtransportiert werden (Auslesevorgang). Im Übrigen ist die lichtempfindliche Schicht über ihre gesamte Dicke auf alle Teile des Lichtspekrums gleich empfindlich. Lediglich die Penetrationswirkung der unterschiedlichen Wellenlängen ist, bedingt durch unterschiedliche Eindringtiefen, in Abhängigkeit von der Bestrahlungsdauer, für längerwellige Strahlung eine Andere, als für sehr Kurzwellige.
ZITAt (Dennis @ 15.05.2006 - 10:19) 1. Der Foveon hat keine drei Schichten.[/quote]
/smile.gif" style="vertical-align:middle" emoid="" border="0" alt="smile.gif" />
ZITAt (Dennis @ 15.05.2006 - 10:19) 2. Nein, denn sonst würden ja wohl alle anderen CCDs oder CMOS-Chips UV-Empfindlich sein - was sie aber nicht sind.[/quote]
Sind sie - je nach Sensoraufbau mehr oder weniger.
ZITAt (Dennis @ 15.05.2006 - 10:19) So ein Quatsch. Vergleiche einfach mal die Schichtdicken des Foveon-Sensors und eines normalen CCDs. Wenn Dein Irrglaube stimmen würde, dann wären ja alles Sensoren nur blau-empfindlich, da die restlichen Lichtanteile erst tiefer erfasst werden.[/quote]
Hast Du als Schichtdicken- und Eindringtiefenspezialist da irgendwo vielleicht etwas nicht richtig gelesen oder verstanden?
ZITAt (Dennis @ 15.05.2006 - 10:19) Jetzt behauptest Du schon wieder, UV-Licht hätte keine geringe Durchdringung...[/quote]
Nein - aber ich versuche Dir aufzuzeigen, dass bei entsprechend geringer Dicke der lichtempfindlichen Schicht selbst hart ausgerichtete Elektronenanordnungen durch die chaotischen Reaktionen des dotierten Substrats auf UV-Licht, also gerade im kurzwelligen Bereich des Lichtspektrums, zerstört werden können.

Warum nimmt man hier wohl gerade UV-Licht. Das dürfte ja Deiner Ansicht nach gar nicht funktionieren.
Aber gerade auf UV-Licht reagiert das dotierte Silizium extrem heftig. Die Reaktionen im langwelligeren Lichtbereich sind lange nicht so intensiv (siehe Artikel des Max Planck Institutes, Fig.6).
ZITAt (Dennis @ 15.05.2006 - 10:19) Ich auch nicht. Ich habe auch keinen Bock mehr, auf die hahnebüchenen Theorien eines geistigen Eremiten einzugehen, ...[/quote]
Den hier genannten und auch die anderen von mir zitierten Artikel habe ich nicht verfasst. Es sind nicht meine Theorien, sondern Messdaten und Forschungsergebnisse doch wohl anerkannter Institute die Du versuchst unter Heranziehung eines von Kodak entwickelten und unter bestimmten Voraussetzungen für einen bestimmten Zweck benutzten Verfahrens ad absurdum zu führen.

Genauso wenig, wie ein Pixel immer eine definierte Flächenausdehnung hat ist ein CCD- oder CMOS-Sensor immer nur im Berich des sichtbaren Lichtes anregbar / funktionsfähig. Beides hat bestimmte, von Fall zu Fall unterschiedliche Voraussetzungen die auf bestimmten, unumstößlichen Naturgesetzen bestehen. Daran wird auch Deine Polemik hier nichts ändern.

Gruß,

Rudi.

Es ist eindeutig mal wieder höchste Zeit: /wacko.gif" style="vertical-align:middle" emoid="" border="0" alt="wacko.gif" /> ™

/laugh.gif" style="vertical-align:middle" emoid="" border="0" alt="laugh.gif" />

Auf der Hompage von Hapa-Team gibt es ein paar Infos zu Filtern für digital Kameras. Links unten die Downloads von HOYA hierzu. Die HOYA Broschüren zu den Filtern für DigiCams auf dieser Seite (Pro1 Digital), besonders im Bezug auf UV-Filter, sind schon interessant.

Also, ich finde ja die ganzen High-Tech-Erklärungen zum Warum ja schon interessant, doch mir ist an einer einfachen Abhilfe für kontrastreiche Motive mehr gelegen - Betonung auf einfach, denn noch ewige Zeit mit Bildnachbearbeitung einer RAW-Datei möchte ich nicht verbringen. Nach verschiedensten Kameraeinstellungen bin ich nun bei Kontrast -2 und und zum Ausgleich Sättigung +2 hängen geblieben - Sättingung +1 täte es wohl auch...
Ich will einfach nur das Bild machen und ggf. dann auch genauso ausdrucken/ausbelichtet haben - und da ist digital schon was anderes als der gutmütige Negativfilm oder das schon erbarmungslose Dia.
In den Urlaub werde ich deswegen wohl eher die analoge als die digitale mitnehmen, falls es zu einem Ausschlusskommen muss...

Gruß, Dirk

PS: Nen Kamera-Firmware-Update mit optionaler Dia- oder Negativ-Einstellung wäre Klasse /rofl.gif" style="vertical-align:middle" emoid="" border="0" alt="rofl.gif" />